• 基本原理： 物质总是从“高”到“低”流动
• PN结的组成：一半P型半导体和一半N型半导体拼成的整体
• PN结产生了什么？

  1. P型半导体空穴多，N型半导体电子多，物质由“高”向“低”流动
  2. P 的空穴跑到了 N，正电粒子跑到了 N， P 变为负极
  3. N 的电子跑到了 P，负电粒子跑到了 P， N 变为正极
  4. 中间那条线为正负交界，达到稳定状态，形成PN结，该“结”产生的电场所占有的能量被叫做电动势能，也被叫做壁垒高度
  5. 硅的壁垒高度为0.5V左右，锗的势垒高度为0.1V左右；其高度随温度的升高而下降

• PN结的特性 $$\begin{align*} U_P &> U_N \text{ (电压P > 电压N)} \\ \\ &\Downarrow \\ \\ &\text{PN结正向偏置（正偏）} \\ \\ &\Downarrow \\ \\ &\text{当 } (U_P - U_N > 0.5\text{(硅)}) \text{ } or \text{ } (U_P - U_N > 0.1\text{(锗)}) \\ \\ &PN结被导通 \\ \\ &\text{当 } (U_P - U_N) \text{ 达不到 0.5 或 0.1} \\ \\ &正常情况, 未被导通 \\ \\ \\ \end{align*}$$

$$\begin{align*} &U_P < U_N \text{, 反向偏置} \\ \\ &\text{此时PN结处于截止状态，电流很小, 可以当成开路} \end{align*}$$